ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. СЕРИЯ: ФИЗИКА РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА РАДИОЭЛЕКТРОННУЮ АППАРАТУРУ

  • Publisher Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт приборов"
  • Country Россия
  • Web https://elibrary.ru/title_about.asp?id=25748

Content

УЧЕТ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ОПРЕДЕЛЕНИИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ НЕКОТОРЫХ КМОП ИС

РОМАНЕНКО АЛЕКСЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ДЕРЕВЯНКО ЮРИЙ БОРИСОВИЧ, ДЕРЕВЯНКО ДЕНИС ЮРЬЕВИЧ

Приведены результаты экспериментальных исследований влияния низкой интенсивности воздействия гамма-излучения изотопа 60Со на показатели радиационной стойкости изделий микроэлектроники КМОП-технологии к дозовым ионизационным эффектам. Выяснено, что среднее значение стойкости исследованных трех типов КМОП ИС, облученных при мощности дозы излучения 0,008 рад(Si)/с, на десятки процентов выше, чем при облучении с мощностью дозы 50 рад(Si)/с.

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПРОГРАММ МЕТОДА МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ РАСЧЕТОВ ПОГЛОЩЕННЫХ ДОЗ ЛУЧЕВЫМ МЕТОДОМ

ГАЛИХИНА ОЛЬГА АЛЕКСЕЕВНА, ЛАЗАРЕВ СЕРГЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ЗАЛЯЛОВ АДЕЛЬ НАИЛЬЕВИЧ

Предложен вариант реализации лучевого метода расчета поглощенных доз в элементах радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов (КА) при воздействии ионизирующего излучения космического пространства с использованием программ расчета переноса фотонного излучения методом Монте-Карло. Такая схема реализации расчетов лучевым методом позволяет, при необходимости, проводить сравнение результатов с «прямыми» расчетами методом Монте-Карло для одной и той же модели. Приведены примеры расчетов для отдельных микросхем и модели КА.

ИССЛЕДОВАНИЕ КРАТКОВРЕМЕННЫХ СБОЕВ ТТЛ-МИКРОСХЕМ, РАБОТАЮЩИХ В РЕЖИМЕ АВТОГЕНЕРАЦИИ, ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

ЛИТВИН ДМИТРИЙ НИКИТОВИЧ, ЧАУНИН АНТОН ЕВГЕНЬЕВИЧ, ЭЛЬЯШ СВЕТА ЛЬВОВНА, ЮРЬЕВ АНДРЕЙ ЛЕОНИДОВИЧ, СЕЛЕЗНЕВ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ

Проведено исследование кратковременных сбоев ТТЛ-микросхем при воздействии наносекундных импульсов рентгеновского излучения. За исключением серии 531 для всех исследованных образцов пороговая доза составила Dп ~ 0,015 Гр. Для серии 531 пороговая доза оказалась больше, что, возможно, связано с существенно большим током потребления, ускоряющим восстановление режима работы микросхемы уже в процессе облучения.

ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СБОЕВ АППАРАТУРЫ ДИАГНОСТИКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

ЛИТВИН ДМИТРИЙ НИКИТОВИЧ, ЧАУНИН АНТОН ЕВГЕНЬЕВИЧ, ЭЛЬЯШ СВЕТА ЛЬВОВНА, ЮРЬЕВ АНДРЕЙ ЛЕОНИДОВИЧ, СЕЛЕЗНЕВ АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ

Проведены динамические исследования функциональных сбоев аппаратуры диагностики высокотемпературной плазмы при воздействии импульсного рентгеновского излучения. Из всех исследуемых приборов наиболее уязвимыми к рентгеновскому импульсу оказались электронно-оптический фотохронограф СЭР-5.

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА СТАРЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ С N-КАНАЛОМ

КУЛИКОВ НИКИТА АНДРЕЕВИЧ, ПОПОВ ВИКТОР ДМИТРИЕВИЧ

Представлены результаты исследования плотности поверхностных дефектов в МОП-транзисторах КМОП ИМС при длительном воздействии температуры 150 °С в пассивном режиме.

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ТРАНЗИСТОРАХ НА КНС-СТРУКТУРАХ

КАБАЛЬНОВ ЮРИЙ АРКАДЬЕВИЧ, ОБОЛЕНСКИЙ СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, КАЧЕМЦЕВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

Рассмотрено влияние гамма-облучения на характеристики КМОП КНС интегральных схем. Представлена математическая модель n -канальной МОП КНС транзисторной структуры с учетом параметров границы раздела кремний-диэлектрик. Приведены результаты моделирования дозовых эффектов с использованием разработанной компьютерной программы. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными. Соответствие теории и результатов эксперимента позволяет подтвердить правильность модельных представлений о формировании каналов утечек при воздействии гамма-облучения. Выбраны оптимальные режимы имплантации транзисторных структур, позволяющие изготовить микросхемы с повышенным уровнем радиационной стойкости.

ПОВЫШЕНИЕ ДОСТОВЕРНОСТИ РАСЧЕТОВ ДОЗОВЫХ НАГРУЗОК НА ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ В СОСТАВЕ БОРТОВОЙ АППАРАТУРЫ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ

ЗИНЧЕНКО ВЛАДИМИР ФЕДОРОВИЧ, БУЛГАКОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, МИРШАВКА ЮРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ЯХУТИН СТАНИСЛАВ АЛЕКСАНДРОВИЧ

Разработан комплекс программ для проведения массовых инженерных расчетов плотности ионизации и структурных повреждений в материалах чувствительного объема изделий микроэлектроники (Si, Ge, GaAs и др.) при действии ионизирующих излучений космического пространства на бортовую аппаратуру (БА) космических аппаратов (КА). Реализована возможность автоматизированного формирования исходной трехмерной геометрии расчета локальных дозовых нагрузок в объеме приборов БА, используя информацию о 3D-моделях КА из сред моделирования типа Solid Works, 3D-MAX или аналогичного программного обеспечения.

ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ, ПРИВОДЯЩИХ К САМОВОССТАНОВЛЕНИЮ ЭЛЕКТРОНИКИ В ПОЛЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ЧАСТИЦ, ОБРАЗОВАННОМ КОСМИЧЕСКИМИ ЛУЧАМИ

АНОХИН МИХАИЛ ВСЕВОЛОДОВИЧ, АРЕФЬЕВ В.А., ГАЛКИН ВЛАДИМИР ИГОРЕВИЧ, ДИТЛОВ ВАЛЕРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ, ДУБОВ АНДРЕЙ ЕВГЕНЬЕВИЧ, ЗЕЛЁНЫЙ ЛЕВ МАТВЕЕВИЧ, ПАНАСЮК МИХАИЛ ИГОРЕВИЧ, РУТКЕВИЧ Б.П., ЧАБАНОВ ВЛАДИМИР МИХАЙЛОВИЧ, ЧУЛКОВ И.В.

Проведено экспериментальное исследование удельной энергии поля ионизирующих частиц с применением техники полупроводниковой ионизационной камеры. Использованный метод пригоден для проведения прямых измерений коэффициента качества поля ионизирующих частиц в штатных условиях эксплуатации. Обнаружено явление самовосстановления функционирования чувствительного элемента. Предлагается способ оперативной оценки качества космической «погоды в доме» в космическом аппарате и его эволюция во времени.

К ВОПРОСУ ОБ ОПТИМИЗАЦИИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ КОСМИЧЕСКОЙ АППАРАТУРЫ ПО ИОНИЗАЦИОННЫМ ДОЗОВЫМ ЭФФЕКТАМ

ГАМЗАТОВ НАРИМАН ГАМЗЕВИЧ

На основании результатов испытаний показано, что стойкость аналоговых микросхем к воздействию ионизирующего излучения (ИИ) по дозовым эффектам в составе функциональных узлов выше, чем при непосредственных испытаниях. Предложен один из возможных вариантов оптимизации обеспечения стойкости космической аппаратуры к воздействию ИИ по дозовым эффектам.

ВОСПРОИЗВЕДЕНИЕ НОРМ ИСПЫТАНИЙ НА РЕАКТОРЕ ПРИЗ-М ПРИ ДВУХСТОРОННЕМ ОБЛУЧЕНИИ ОБЪЕКТА

ПИКАЛОВ ГЕОРГИЙ ЛЬВОВИЧ, НИКОЛАЕВ ОЛЕГ АЛЕКСАНДРОВИЧ, БУРЛАКА ИГОРЬ АНДРЕЕВИЧ, КРАСНОКУТСКИЙ ИГОРЬ СЕРГЕЕВИЧ, КОРАБЛЕВ МИХАИЛ ЮРЬЕВИЧ

Приведены результаты расчетных исследований параметров излучений реактора ПРИЗ-М и алгоритм воспроизведения норм испытаний на радиационную стойкость при двухстороннем облучении крупногабаритных объектов. Показано, что по сравнению с односторонним облучением размеры испытательного объема с равномерными параметрами излучений увеличиваются до четырех раз.

This content is a part of the Физика и астрономия collection from eLIBRARY.
If you are interested to know more about access and subscription options, you are welcome to leave your request below or contact us by eresources@mippbooks.com

Request

Unfortunately, we have no right to provide any kind of access to this resource in the territory of Western Europe. In any case, we will process your request and contact you with possible variants of solution.